- Especificações
- Encomenda
- Forma de pagamento
- Tipo de transporte
| Número de parte |
HP8M31TB1 |
| Fabricante |
LAPIS Technology |
| Descrição |
HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
| Status sem chumbo / Status RoHS |
ROHS3 compatível |
| Quantidade Disponível |
1 pcs |
| Fichas de dados |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
3V @ 1mA |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor |
8-HSOP |
| Série |
- |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS |
65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V |
| Power - Max |
3W (Ta) |
| Caixa / Gabinete |
8-PowerTDFN |
| Pacote |
Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de operação |
150°C (TJ) |
| Tipo de montagem |
Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
470pF @ 30V, 2300pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs |
12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V |
| Característica FET |
- |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) |
60V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C |
8.5A (Ta) |
| Configuração |
N and P-Channel |
| Número do produto base |
HP8M31 |
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Prazo de entrega
Normalmente, levaria de 3 a 5 dias para a maior parte do país em todo o mundo para a DHL/UPS/FEDEX.
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HP8S36TB30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
SP8K2HZGTB30V NCH+NCH POWER MOSFET. SP8K2H
MMDF2P02HDR2MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
BSG0811NDATMA1MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
FDS8934AMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC