- Especificações
- Encomenda
- Forma de pagamento
- Tipo de transporte
| Número de parte |
US6M11TR |
| Fabricante |
LAPIS Technology |
| Descrição |
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS |
ROHS3 compatível |
| Quantidade Disponível |
17636 pcs |
| Fichas de dados |
US6M11TR(1).pdfUS6M11TR(2).pdfUS6M11TR(3).pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor |
TUMT6 |
| Série |
- |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS |
180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Power - Max |
1W |
| Caixa / Gabinete |
6-SMD, Flat Leads |
| Pacote |
Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de operação |
150°C (TJ) |
| Tipo de montagem |
Surface Mount |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
110pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs |
1.8nC @ 4.5V |
| Característica FET |
Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) |
20V, 12V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C |
1.5A, 1.3A |
| Configuração |
N and P-Channel |
| Número do produto base |
US6M11 |
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Nome do beneficiário: Hong Kong Ri Xin International Trading Company
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US6J2TRMOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6